型号:

SI4825DY-T1-GE3

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
SI4825DY-T1-GE3 PDF
产品目录绘图 DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 14 毫欧 @ 11.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 71nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds -
功率 - 最大 1.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装 8-SOICN
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1665 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI4825DY-T1-GE3CT
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